A maior parte da nossa tecnologia atual é eletrônica, impulsionada pelos elétrons que sustentam seu funcionamento. No entanto, existe a perspectiva teórica de construir componentes protônicos que operem com prótons.
Embora seja um desafio, a adoção de componentes protônicos pode ser vantajosa devido à sua notável velocidade – um resistor protônico demonstrado recentemente foi comparado a um teletransporte em termos de rapidez.
Ademais, a utilização de prótons permite a mudança contínua do comportamento dos materiais, possibilitando a criação de componentes com sequências de valores, assemelhando-se mais ao analógico do que ao digital, que trabalha com valores discretos.
Essa característica é fundamental para os memoristores e para todo o hardware neuromórfico, que está na vanguarda da tecnologia por imitar o cérebro e ser altamente adequado para executar programas de inteligência artificial.
Recentemente, pesquisadores da Universidade de Ciência e Tecnologia Rei Abdullah, na Arábia Saudita, desenvolveram um protótipo de memória protônica. Embora ainda necessite de refinamentos para uso prático, este avanço valida todas as promissoras possibilidades do hardware movido a prótons.
Pesquisadores liderados por Xin He conseguiram induzir transições de fase no material ferroelétrico seleneto de índio (In2Se3) por meio da injeção de prótons, que permitiu a criação de uma memória protônica de alta capacidade. Esse material apresenta múltiplas fases ferroelétricas reversíveis, possibilitando um “alfabeto” de memória expandido além dos tradicionais 0 e 1. Ao incorporar esse material em um transistor, a equipe desenvolveu componentes de memória multinível com baixa tensão de operação (0,4 volts), excelente durabilidade na leitura e gravação, e altas velocidades de gravação, contribuindo para o avanço de chips de computação neuromórficos mais eficientes e rápidos.
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