A busca por um transistor mais eficiente pode ter recebido um incentivo dos engenheiros que afirmam ter criado um transistor mais barato e mais rápido para dispositivos sem fio.
Novo transistor pode melhorar eficiência e velocidade em dispositivos sem fio
Pesquisadores da Universidade de Deleware, UD, dizem que criaram um novo transistor que pode reduzir o custo e aumentar a velocidade dos dispositivos sem fio.
De acordo com novo estudo da Applied Physics Express, os pesquisadores da UD criaram um transistor de alta mobilidade eletrônica que pode amplificar e direcionar a corrente elétrica usando nitreto de gálio e uma barreira de alumínio-nitreto em um substrato de silício.
O que torna seu transistor tão impressionante são suas propriedades. Ele possui escoamento de porta com registro baixo, maior taxa de corrente liga-desliga e a maior frequência de corte de ganho de corrente registrada, que é um indicador de quantos dados podem ser transmitidos usando uma grande variedade de frequências.
Tudo isso torna o novo transistor especialmente útil para dispositivos móveis que dependem de sistemas de comunicação sem fio. Para qualquer corrente, o novo transistor seria capaz de lidar com mais voltagem e exigir menos vida útil da bateria do que os transistores de corrente.
“Estamos fabricando esse transistor de alta velocidade porque queremos expandir a largura de banda das comunicações sem fio, e isso nos dará mais informações por um tempo limitado”, disse Yuping Zeng, professor de engenharia elétrica e de computação da UD. “Ele também pode ser usado para aplicações espaciais, porque o transistor de nitreto de gálio que usamos é robusto à radiação e também é um material com grande largura de banda, para que possa tolerar muita energia”.
Zeng acrescentou que: “esse processo também pode ser compatível com a tecnologia complementar de óxido de metal-semicondutor de silício, que é a tecnologia convencional usada para semicondutores”.
Dennis Prather, professor de engenharia elétrica e engenharia de computação e co-autor do artigo, considera que o novo transistor está na hora certa para a próxima grande revolução na tecnologia de comunicações: redes 5G.
“Com a era do 5G, é muito emocionante ver os transistores do professor Zeng como uma contribuição importante para esse campo”, disse ele. “Sua pesquisa é reconhecida mundialmente e a Universidade tem muita sorte de tê-la em seu corpo docente. Para esse fim, a 5G está introduzindo uma onda de novas tecnologias em quase todos os aspectos das comunicações móveis e redes sem fio, ter a Universidade na vanguarda, com a excelente pesquisa do professor Zeng, é realmente algo maravilhoso”.
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