A Samsung está determinada a não ser deixada para trás na corrida em direção à produção de chips com tecnologia de fabricação mais avançada. A empresa anunciou oficialmente seus planos de fabricar chips de apenas 1,4 nanômetros (nm) a partir de 2027, uma conquista que promete oferecer um equilíbrio notável entre alto desempenho e eficiência energética.
Jeong Gi-Tae, vice-presidente da Samsung Foundry, a divisão de semicondutores da empresa, revelou esses ambiciosos objetivos ao The Elec. Ele enfatizou que a Samsung planeja atingir a marca de 1,4 nm usando a tecnologia de transistores do tipo GAA (Gate All Around), confirmando seus planos anunciados em 2022.
Conforme informações da ASML, uma empresa especializada no desenvolvimento de máquinas para a fabricação de chips, os transistores GAA (ou GAAFET) adotam uma estrutura de nanofolhas empilhadas. Essa inovação permite que a porta de controle, responsável por regular a condutividade elétrica, envolva todos os lados do canal do transistor por onde a corrente elétrica flui.
Essa abordagem tem a vantagem de reduzir o vazamento de corrente elétrica. Isso possibilita a produção de transistores de tamanho extremamente reduzido, ao mesmo tempo em que se aumenta o nível de corrente que pode passar por eles.
Chips de 3 e 2 nanômetros (nm) estarão disponíveis antes da tecnologia de 1,4 nm
Os transistores GAA são ideais para chips com processos de 3 nm ou menos. Portanto, a Samsung está adotando uma abordagem progressiva para atingir a tecnologia de 1,4 nm.
A jornada começou em 2022 com o anúncio do processo SF3E, que utiliza transistores GAA para a produção de chips de 3 nm. A produção em grande escala desses chips está programada para iniciar a partir de 2024.
Em 2025, a Samsung planeja lançar o aprimoramento do processo, denominado SF3P, uma versão otimizada do processo de 3 nm. Em seguida, a empresa planeja introduzir chips de 2 nm (SF2) em 2025 ou 2026, também baseados na tecnologia de transistores GAA.

Caso os planos da Samsung se concretizem, a empresa começará a fabricar seus primeiros chips com um processo de 1,4 nanômetros (SF1.4) em 2027. Para alcançar esse marco, a Samsung Foundry está desenvolvendo transistores com uma estrutura de quatro nanofolhas, enquanto as tecnologias de 3 e 2 nanômetros contarão com transistores de três nanofolhas empilhadas.
A inclusão de mais nanofolhas permite uma maior corrente elétrica fluir através do transistor, o que pode resultar em um desempenho aprimorado do chip e uma otimização do consumo de energia.
Além dos benefícios esperados, alcançar a tecnologia de 1,4 nm será um feito notável, pois representa uma escala na qual cada transistor tem uma largura equivalente a apenas três átomos de silício.
Atenta à concorrência
A indústria busca constantemente a redução da escala de nanômetros como um meio de aprimorar o desempenho e a eficiência energética dos chips. A Samsung está fazendo investimentos significativos nesse segmento para não ficar para trás nessa corrida, uma vez que a Intel e a TSMC também planejam adotar transistores GAA a partir de 2024, conforme destacado pelo Tom’s Hardware.
(Fonte: Digitime Asia e Tecnoblog)
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